Qing Xiang Zhao

Professor i fysikalisk elektronik

Född 1962 Kina. MSc 1985 i Kina. Tekn. dr inom materialvetenskap LiU 1988. Universitetet i Trondheim, Laboratoire de Physique des Semiconducteurs i Grenoble, Max-Planck-Institute i Stuttgart. 1990–1996. Chalmers och Göteborgs universitet, 1997–2006. Universitetslektor LiU 2007–2010.

Qing Xiang Zhao har lång erfarenhet av studier på halvledande materials egenskaper med optisk- spektroskopiska metoder samt halvledarmaterials tillväxt, som kemisk tillväxt i vattenlösning vid låg temperatur, katalytisk tillväxt samt kemisk förångningsdeposition.

Qing Xiang Zhao har gjort viktiga, och i vissa fall banbrytande insatser, relaterade till halvledarmaterial och kvantstrukturer baserade på halvledarmaterial. Detta innefattar speciellt arbete med materialtillväxt samt studier av materialegenskaper hos så kallade utspädda nitrider (GaInNAs/GaAs), hos InAs/GaAs-kvantpunkt-strukturer och ZnO-baserade nanostrukturer.

Han har också undersökt fundamentala egenskaper hos sammansatta halvledare av Si och Si/Ge samt låg-dimensionella strukturer baserade på dessa halvledare. Arbetet har varit av både experimentell och teoretisk karaktär.

Qing Xiang Zhaos forskning är nu inriktad mot tillväxt av ZnO-baserade material med Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD). ZnO är en sammansatt halvledare med ett stort bandgap, som är lämplig för opto-applikationer inom framför allt det spektrala UV-området, men också för tillämpningar där man vill ha perfekt vitt ljus.

Energikrisen och miljöaspekter driver på forskningen kring ren och förnybar energi. Forskningen handlar om att förbättra materialprestanda och utifrån resultaten kunna utveckla nya och bättre produkter med syfte att spara energi. Solceller, fotodetektor och vita lysdioder är några av de viktigaste områdena för att generera el och/eller att spara energi. Varje nytt bidrag inom dessa områden har stor betydelse för energihushållningen och miljön. Qing Xiang Zhaos nuvarande forskning fokuseras mot tillväxt av tunna ZnMgO-skikt med hög kvalitet samt p-typ ZnO-lager för optoelektroniska applikationer.

Ur program för professorsinstallationen 2011.