Anne Henry

Professor i materialfysik

Född 1959 i Châlons en Champagne, Frankrike. Disp. i fysik och mikroelektronik vid Grenobles universitet 1986. Postdoktor vid LiU 1987, docent 1996. Univ. lekt. 2003. 1996–2003 delvis anställd i industriella forskningsprojekt.

Anne Henrys forskning gäller halvledarmaterial som är grunden för modern elektronik, inklusive radio, datorer, telefoner och många andra applikationer. Dessa innehåller transistorer, solceller, många typer av dioder inklusive lysdioder, samt digitala och analoga integrerade kretsar.

Anne Henry började med elektrisk och optisk karakterisering av halvledarmaterial som kisel (Si) och kiselgermanium (SiGe). Vid LiU blev hon tidigt indragen i forskningen på kiselkarbid (SiC) där hon studerat karakterisering, defektfysik och hur defekter påverkar egenskaperna hos materialet. Senare har hon även blivit involverad i materialtillväxt och ansvarat för epitaxiell tillväxt (CVD). Under senare år har hon utvecklat kloridbaserad SiC-epitaxi som har visat lovande resultat med mycket hög tillväxthastighet – omkring 100 mikrometer i timmen vid 1600°C, jämfört med 5–10 mikrometer i timmen med konventionell teknik.

En annan utveckling gäller tillväxt på kristallriktningar. Normalt används substrat med svag lutning mellan atomplan och yta, så kallad off-axis, en teknik som medför problem då defekter uppstår i de lutande atomplanen. Detta kan undvikas genom att använda substrat utan lutning, on-axis.

Anne Henry har även varit inblandad i utvecklingen av epitaxiell tillväxt av nitrider (GaN, AlGaN och AlN) och har startat det första svenska projektet om tillväxt och karakterisering av bornitrid (BN).

Hennes forskningsbidrag beskrivs idag med ett h-index på 28, 1625 citeringar (utan självcitat), 100 tidskriftsartiklar, 200 konferensbidrag och fem bokkapitel. Hon är också involverad i olika utvärderingskommittéer i Sverige, Frankrike och Sydafrika. Anne Henry undervisar även inom både grundutbildning och forskarutbildning.

Ur program för professorsinstallationen 2011